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J-GLOBAL ID:201502204525653646   整理番号:15A1113105

CsI薄膜光電陰極の研究の最近の進歩【Powered by NICT】

Recent Progress in Research on CsI Thin Film Photocathodes
著者 (9件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 225-232  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2432A  ISSN: 1000-324X  CODEN: WCXUET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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よう化セシウム(CsI)薄膜を,軟X線及び極紫外領域における良好な電子輸送と放出特性のために多くの注目を集めている。核物理・高エネルギー物理学と天体物理学の急速な発展に伴い,CsI薄膜光電陰極のための要求はますます厳しく,それは高い量子効率(QE)と安定した性能を有するCsI光電陰極を開発することは,かなり興味深い化合物である。しかし,QE変化と光電陰極老化の内部機構は,完全には明らかまたはこれまで特定されていない。本論文では,CsI薄膜光電陰極の最近の進歩をレビューし,いくつかの論争中の問題を紹介した。末端で提案されているいくつかの展望。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  薄膜一般 
タイトルに関連する用語 (2件):
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