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J-GLOBAL ID：201502204556537032   整理番号：15A1149813

アクセス領域におけるドーパント及び形状モニタリングによるナノワイヤトランジスタにおけるキャリア注入エンジニアリング

Carrier injection engineering in nanowire transistors via dopant and shape monitoring of the access regions

著者 (5件)： BERRADA Salim (IM2NP UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., Technopole de Chateau Gombert, 60 Rue Frederic Joliot Curie, Batiment ...) ,  BESCOND Marc (IM2NP UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., Technopole de Chateau Gombert, 60 Rue Frederic Joliot Curie, Batiment ...) ,  CAVASSILAS Nicolas (IM2NP UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., Technopole de Chateau Gombert, 60 Rue Frederic Joliot Curie, Batiment ...) ,  RAYMOND Laurent (IM2NP UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., Technopole de Chateau Gombert, 60 Rue Frederic Joliot Curie, Batiment ...) ,  LANNOO Michel (IM2NP UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., Technopole de Chateau Gombert, 60 Rue Frederic Joliot Curie, Batiment ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 15  ページ： 153508-153508-4  発行年： 2015年10月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ドーパント ,  *形態 ,  輸送現象 ,  *キャリア注入 ,  接触抵抗
準シソーラス用語： *ナノワイヤトランジスタ ,  *形状 ,  量子輸送現象

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： アクセス ,  ドーパント ,  モニタリング ,  ナノワイヤトランジスタ ,  キャリア注入 ,  エンジニアリング