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J-GLOBAL ID：201502204608447495   整理番号：15A1203577

ヘテロ構造ナノロッドのバンドエッジエネルギー論: Auチップ化CdSeナノロッド単原子層の光電子分光法と導波路分光電気化学

Band Edge Energetics of Heterostructured Nanorods: Photoemission Spectroscopy and Waveguide Spectroelectrochemistry of Au-Tipped CdSe Nanorod Monolayers

著者 (8件)： EHAMPARAM Ramanan (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  PAVLOPOULOS Nicholas G. (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  LIAO Michael W. (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  HILL Lawrence J. (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  ARMSTRONG Neal R. (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  PYUN Jeffrey (Univ. Arizona, Arizona, USA) ,  PYUN Jeffrey (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SAAVEDRA S. Scott (Univ. Arizona, Arizona, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 9  ページ： 8786-8800  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSeの薄膜とAuチップ化CdSeナノロッド(NR)の薄膜に対して,真空スケールを基準としたバンドエッジエネルギーを補足的なUPSと分光電気化学測定を用いて求めた。両方のアプローチから,CdSe NRに対してE_VB=5.9-6.1eV,E_CB=4.1-4.3eVを示した。Auチップを加えると,NRバンドエッジエネルギーを変化させ,ミッドギャップ状態を導入する。UPS結果は,Auチップ化はE_VBを0.4eVだけ真空近くにシフトさせることを示す。

シソーラス用語： *ナノロッド ,  ナノ粒子 ,  発光 ,  紫外線 ,  分光電気化学 ,  電子移動 ,  *バンド構造 ,  *セレン化カドミウム ,  金 ,  光電子分光法 ,  単原子層 ,  化合物半導体 ,  光触媒 ,  電極触媒
準シソーラス用語： CdSe ,  *バンド端 ,  金属ナノ粒子 ,  半導体ナノ構造

分類 (3件)： 一般及び無機化合物の電子分光スペクトル(分子)  (BH06091Y) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (9件)： ヘテロ構造 ,  ナノロッド ,  Au ,  チップ化 ,  CdSe ,  単原子層 ,  光電子分光法 ,  導波路 ,  分光電気化学