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J-GLOBAL ID：201502204609344720   整理番号：15A1038647

酸化グラフェン:ZnO/Siフォトダイオードの電気的及び光学的応答特性

Electrical and photoresponse properties of graphene oxide:ZnO/Si photodiodes

著者 (1件)： HENDI A.A. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. for Girls, King Abdulaziz Univ., Jeddah 21589, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 647  ページ： 259-264  発行年： 2015年10月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛/酸化グラフェン(ZnO-GO)ナノ複合材料をフォトダイオード製造のために合成した。ZnO-GO/p-SiとZnO-GO/n-Siダイオードを種々のGO濃度に対して調製した。ZnO-GO/p-SiとZnO-GO/n-Siダイオードの電気的特性は暗条件と光照明条件で解析した。ZnO-GO/p-SiとZnO-GO/n-Siダイオードの光電流はGO含有量の増加と共に増加した。GO:ZnOのモル比が0.03のZnO-GO/p-Siダイオードは100mW/cm²のもとで0.5A/Wという最大の光応答性を示した。ZnO-GO複合材料が高光感度ダイオードの製造に使用しうるかについて評価した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： グラフェン ,  酸化物 ,  *酸化亜鉛 ,  *ケイ素 ,  *フォトダイオード ,  応答 ,  光電流 ,  感度 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁ダイオード ,  光照射 ,  ナノ複合材料 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  光吸収
準シソーラス用語： 光学応答 ,  光感度 ,  *酸化グラフェン

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化グラフェン ,  ZnO ,  Si ,  フォトダイオード ,  光学的応答