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J-GLOBAL ID：201502204628796747   整理番号：15A1233410

BINAPユニットを光増感性配位子とするパラジウム錯体の開発

著者 (3件)： 稲垣昭子 (首都大学東京) ,  孫昌洙 (首都大学東京) ,  野村琴広 (首都大学東京)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 116th  ページ： 125  発行年： 2015年09月09日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： リン上の置換基をナフチル基で置換したBINAP配位子を持つパラジウム錯体を用いると,光照射のON/OFFによってスチレン重合反応の進行と停止がスイッチングされることを見出した。395nmの光を照射すると,4-methoxystyreneの重合反応が進行し,光を止めると反応も停止する。反応機構を調査したところ,基質が挿入した中間体を観測し,配位-挿入機構で進行していることが支持された。(著者抄録)

シソーラス用語： *光増感作用 ,  *配位子 ,  *パラジウム錯体 ,  *パラジウム触媒 ,  *光照射 ,  *光交換 ,  *光スイッチ ,  重合 ,  反応中間体 ,  置換基効果 ,  配位子効果
準シソーラス用語： *光スイッチング

分類 (4件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

物質索引 (2件)： 4-メトキシスチレン ,  BINAP

タイトルに関連する用語 (5件)： BINAP ,  光増感 ,  配位子 ,  パラジウム錯体 ,  開発