文献

J-GLOBAL ID：201502204646510818   整理番号：15A1276205

In situ X線回折によって研究した金触媒GaAsナノワイヤーの構造を決定する機構

Mechanisms Determining the Structure of Gold-Catalyzed GaAs Nanowires Studied by in Situ X-ray Diffraction

著者 (6件)： TAKAHASI Masamitu (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAHASI Masamitu (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KOZU Miwa (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  KOZU Miwa (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  SASAKI Takuo (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HU Wen (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 15  号： 10  ページ： 4979-4985  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタキシャル(MBE)成長しているAu種結晶化GaAsナノワイヤー中の結晶構造転移をin situ X線回折によって研究した。その結果,このナノワイヤーの成長は閃亜鉛鉱(ZB)構造の形成から始まり,その後ウルツ鉱(WZ)構造の成長することがわかった。核生成モデルに基づくシミュレーションと比較すると,WZ上にZB核の,ZB上にWE核の高い表面エネルギーの存在することがわかった。ZBからWZへの広範囲にわたる成長の転移は触媒小滴の形が変化することに起因している。しかし,過飽和は成長の初期段階で速やかにGaフラックス下の定常状態に達している。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  遷移金属触媒 ,  ナノ粒子 ,  *MBE成長 ,  *構造相転移 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  積層構造 ,  核形成 ,  表面エネルギー ,  過飽和 ,  X線回折
準シソーラス用語： 金触媒

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線回折 ,  研究 ,  金触媒 ,  GaAs ,  ナノワイヤー