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J-GLOBAL ID：201502204662749072   整理番号：15A0500580

低減したEMI生成のためのアクティブ電圧制御による高電力IGBTスイッチング遷移の整形

Shaping High-Power IGBT Switching Transitions by Active Voltage Control for Reduced EMI Generation

著者 (7件)： YANG Xin ,  YUAN Ye (Darwin Coll., Cambridge, GBR) ,  YUAN Ye (California Inst. Technol., CA, USA) ,  YUAN Ye (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  YUAN Ye (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  ZHANG Xueqiang (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  PALMER Patrick R.
資料名： IEEE Transactions on Industry Applications  (IEEE Transactions on Industry Applications)
巻： 51  号： 2  ページ： 1669-1677  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： A0338B  ISSN： 0093-9994  CODEN： ITIACR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクティブ電圧制御(AVC)は,Gauss基準(GR)のためのIGBTスイッチング遷移を形成するのに有効であることを証明した。実装への改善は基準再生の精度を強化した。スペクトル比較は,EMI生成をGRにより大きく抑制できる,ことを示した。ターンオフ時,IGBTの非線形性を注意深く扱うことができ,そしてコレクタ-エミッタ電圧V_CEの上昇は短いディップの適用でGRに上手く整合できた。効果的制御によりV_CEとコレクタ電流のオーバシュートを追加スイッチング損失の対価で脱平滑化できた。重要なことは,それはEMI生成とスイッチング時間,それ故スイッチング損失間の改善したトレードオフを提供した。この有望なトレードオフをGauss S整形過渡現象の無限微分可能特性を用いてより良い高周波EMI抑制をさらに探求できた。著者らは,AVCを適用し,平滑化Gauss波形でIGBTのスイッチング動力学を定義することを成功裏に改善した。

シソーラス用語： *電磁干渉 ,  *電圧制御 ,  電力 ,  *IGBT ,  スイッチング ,  スペクトル ,  ターンオフ ,  非線形性 ,  オーバシュート ,  スイッチング損失 ,  トレードオフ ,  過渡現象 ,  動力学
準シソーラス用語： 高電力

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気量制御  (IC03020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： EMI ,  電圧制御 ,  高電力 ,  IGBT ,  スイッチング ,  遷移 ,  整形