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J-GLOBAL ID：201502204698273865   整理番号：15A1140694

OLEDのための超臨界CO₂/H₂O₂流体で処理したITOアノードのエージング

Aging of ITO anodes treated by supercritical CO₂/H₂O₂ fluids for OLEDs

著者 (4件)： TIEN W. C. (National Sun Yat-sen Univ., Dep. of Photonics, Kaohsiung City, Taiwan) ,  CHEN L. Y. (National Sun Yat-sen Univ., Dep. of Photonics, Kaohsiung City, Taiwan) ,  CHUANG M. J. (Chienkuo Technol. Univ., Dep. of Automation Engineering and Inst. of Mechatronoptic Systems, Changhua City, Taiwan) ,  CHU A. K. (National Sun Yat-sen Univ., Dep. of Photonics, Kaohsiung City, Taiwan)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 11  ページ： 9139-9145  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超臨界CO₂/H₂O₂(SCCO₂/H₂O₂)流体で処理した酸化インジウムスズ(ITO)アノードのエージング挙動を調べた。SCCO₂/H₂O₂処理ITOアノードのエージングに伴い,接触角と表面エネルギーを酸素プラズマ処理のITOアノードと比較した。SCCO₂/H₂O₂前処理は48時間のエージング後,ITO表面に安定な極性成分をもたらした。酸素プラズマ処理したITOのエージングによる極性成分のエネルギー減少は,4000psi15分のSCCO₂/H₂O₂流体で処理したITOの減少が1.1%であるのと比べて20%であった。X線光電子分光分析で,SCCO₂/H₂O₂前処理したITO表面の酸素含有量が,酸素プラズマ処理のITO表面よりもかなり高いことが判明した。これはエージングでの汚染に対応する安定なバッファ層として機能する水酸基生成物の結果と考えられる。さらに,エージングしたITOアノードへのOLED性能の相関依存性も調べた。6時間と12時間のエージング処理したITOアノードで,SCCO₂/H₂O₂前処理のOLEDは酸素プラズマ処理デバイスと比べて,I-V特性と輝度の低下が改善されている。得られた結果は,SCCO₂/H₂O₂流体で処理したITOアノードは安定した表面化学を示し,OLED製品に使えることを示している。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電極 ,  *酸化インジウムスズ ,  *アノード ,  発光ダイオード ,  超臨界 ,  *超臨界流体 ,  二酸化炭素 ,  時効処理 ,  接触角 ,  表面エネルギー ,  プラズマ ,  プラズマ処理 ,  X線光電子分光法 ,  電流電圧特性 ,  過酸化水素 ,  *表面改質 ,  超臨界二酸化炭素
準シソーラス用語： ITO ,  ITO電極 ,  エージング【時効】 ,  *OLED ,  酸素プラズマ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： OLED ,  超臨界CO2 ,  H2O2 ,  流体 ,  ITO ,  アノード ,  エージング