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J-GLOBAL ID：201502204700368088   整理番号：15A0431606

走査トンネル分光法によって計測したInSb量子ドットの寸法依存エネルギーレベル

Size-Dependent Energy Levels of InSb Quantum Dots Measured by Scanning Tunneling Spectroscopy

著者 (8件)： WANG Tuo (Univ. Chicago, Illinois, USA) ,  VAXENBURG Roman (Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  LIU Wenyong (Univ. Chicago, Illinois, USA) ,  RUPICH Sara M. (Univ. Chicago, Illinois, USA) ,  LIFSHITZ Efrat (Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR) ,  EFROS Alexander L. (Center for Computational Material Sci., Washington D.C., USA) ,  TALAPIN Dmitri V. (Univ. Chicago, Illinois, USA) ,  SIBENER S. J. (Univ. Chicago, Illinois, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 1  ページ： 725-732  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡とトンネル分光法を使って,単一のInSb QD(量子ドット)を調べた。正及び負両方の試料バイアストンネル条件で,鮮明な共鳴トンネルピークを観察した。これはInSb QDの正バイアス側の伝導状態と,負バイアス側の結合価を明らかにした。殻充填状態におけるトンネルを証明する荷電に起因するピーク分断を観察した。走査トンネル分光法を使って直径3~7nmのInSb QDのシリーズを研究した。QDの寸法を減らすと,伝導と結合価レベル間のバンドギャップやエネルギー間隔が大きくなった。同じ実験を,III-V半導体族のその他のメンバーであるInAs QDについて行った。InAs及びInSb QDではトンネルスペクトルが異なり,トンネル過程が異なることを示した。Brillouin帯のL点と結合した量子制限レベルを通じてInSb QDの電子トンネルが発生することを理論計算は示している。

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  *スペクトロスコピー ,  量子ドット ,  *アンチモン化インジウム ,  ヒ化インジウム ,  *エネルギー準位 ,  Brillouin帯
準シソーラス用語： InAs ,  *InSb ,  *エネルギーレベル ,  *走査トンネル分光法

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査トンネル分光法 ,  計測 ,  InSb ,  量子ドット ,  エネルギーレベル