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J-GLOBAL ID:201502204713457331   整理番号:15A1157247

カルコパイライト系材料を適用した低電圧増倍型光電変換膜の開発

Development on Low-voltage Carrier Multiplication Film using Chalcopyrite Based Materials
著者 (5件):
資料名:
号: 153  ページ: 35-41  発行年: 2015年09月15日 
JST資料番号: F0219B  ISSN: 0914-7535  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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テレビカメラの感度を抜本的に改善するために,光電変換した信号電荷をCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路の耐電圧以下で増倍可能な,低電圧増倍型光電変換膜の研究開発を進めている。今回,可視光全域で高い感度を有するカルコパイライト系材料CIGS(CuIn1-xGax(Se1-ySy)2)に,暗電流を低減するための正孔注入阻止層として酸化ガリウム(Ga2O3)を適用したGa2O3/CIGS構造を試作し,光電特性を評価した。Ga2O3/CIGS構造の量子効率は可視光平均で95%(印加電圧4V)となった。また,印加電圧5V以下の低電圧で,信号電流の増倍現象を確認した。(著者抄録)
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分類 (3件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  金属薄膜  ,  光電変換管 
引用文献 (8件):
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