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J-GLOBAL ID：201502204726399047   整理番号：15A0958480

MoS₂薄膜の挿入によるグラフェン/Si太陽電池の光起電力特性の向上

Enhanced photovoltaic performances of graphene/Si solar cells by insertion of a MoS₂ thin film

著者 (8件)： TSUBOI Yuka (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Gokasho, Uji, Kyoto 611-0011, Japan. [e-mail]) ,  WANG Feijiu ,  KOZAWA Daichi ,  FUNAHASHI Kazuma ,  MOURI Shinichiro ,  MIYAUCHI Yuhei ,  TAKENOBU Taishi ,  MATSUDA Kazunari
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 34  ページ： 14476-14482  発行年： 2015年09月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ダイカルコゲナイドは,その特徴的なバンド構造のために光電子デバイス用材料として高いポテンシャルを示している。本論文では,グラフェン/Schottky接合太陽電池の光起電力性能が,化学気相成長(CVD)で形成した大面積MoS₂薄膜層の挿入によって大幅に改善されることを立証した。この挿入層は,電子の阻止層かつホールの透過層として有効に機能する。さらに,グラフェン層の数を増やしたり,MoS₂層の厚さを減らすことによって,光起電力特性が向上することも立証した。最適化した3層グラフェン/MoS₂/n-Si太陽電池で,11.1%の高い光起電力変換効率を達成した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *光起電力 ,  効率 ,  *遷移金属 ,  *カルコゲン化物 ,  硫化モリブデン ,  *グラフェン ,  半導体金属接合 ,  化学蒸着 ,  ケイ素 ,  薄膜 ,  依存性
準シソーラス用語： Schottky接合 ,  モリブデン硫化物 ,  化学気相成長 ,  膜厚依存性 ,  光電変換効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： MoS2 ,  薄膜 ,  グラフェン ,  Si ,  太陽電池 ,  光起電力