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J-GLOBAL ID:201502204737921101   整理番号:15A1101530

量子ドットオプトエレクトロニクス素子:レーザ,光検出器,そして,太陽電池

Quantum dot optoelectronic devices: lasers, photodetectors and solar cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号: 36  ページ: 363001,1-28  発行年: 2015年09月16日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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この論文では,筆者らは,レーザ,光検出器,そして,太陽電池を含むIII-V量子ドット(QD)ベースオプトエレクトロニクス素子の現在の進歩をレビューする。QDは高性能オプトエレクトロニクス素子に対する新しい光学的性質を設計する際にそれらの原子状電子構造とフレキシビリティにより非常に興味深い。QDは多様なオプトエレクトロニクス素子に応用され,QDベース素子は,量子井戸(QW)あるいはバルク材料に基づいた従来の素子では少なくとも容易に達成できない新しい機能,そして最新の性能を達成する可能性がある。GaAs基板上で成長したQDレーザ,特に1.3μm波長レーザは既に市場に供給されている。QDの熱心な研究努力はまた,高性能量子ドット赤外光検出器(QDIP)も可能にする。QDIPの基本的な利点はQWIPよりもより高い温度とより低い暗電流で動作することを可能にする。量子ドット太陽電池(QDSC)は他のQDオプトエレクトロニクス素子と比べて開発が遅れている。しかし,QDSCの著しい進歩があり,中間バンドベースの動作が示された。
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分類 (2件):
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固体デバイス一般  ,  光デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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