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J-GLOBAL ID：201502204894345033   整理番号：15A1399361

ガラス基板上の鉛を含まないAgNbO₃薄膜の強誘電分域スイッチングの動力学

Ferroelectric domain switching kinetics of a lead-free AgNbO₃ thin film on glass substrate

著者 (3件)： AHN Yoonho (Dep. of Applied Physics, Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  SEO Jeongdae (Dep. of Applied Physics, Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  SON Jong Yeog (Dep. of Applied Physics, Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 357  号： PA  ページ： 429-432  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛を含まないAgNbO₃(ANO)薄膜をガラス基板上にパルスレーザ蒸着によって堆積した。ANO薄膜の強誘電特性を調べた。AgNbO₃薄膜キャパシタは室温で約15.7μC/cm²(2P_r≒31.4μC/cm²)の残留分極と約130ns以内の高速スイッチング挙動をもつ良好な強誘電性を示した。ANO薄膜表面上に三角形結晶粒を原子間力顕微鏡で観測した。圧電力顕微鏡を用いて,ANO薄膜の強誘電分域スイッチングおよび分域壁運動を調べた。ANO薄膜での印加電場の関数としての分域壁スピードから,分域壁運動の活性化エネルギーを導出した。先に報告されたPbTiO₃と比べて,ANO薄膜はより速いスイッチング挙動を示した。これを分域壁運動のより低い活性化エネルギーに帰着した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化物 ,  ニオブ酸塩 ,  銀化合物 ,  薄膜 ,  *強誘電分域 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  残留分極 ,  活性化エネルギー ,  *スイッチング ,  *分極反転
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  強誘電性分域 ,  分域壁運動 ,  *ドメインスイッチング ,  *ニオブ酸銀

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラス基板 ,  鉛 ,  薄膜 ,  強誘電分域 ,  スイッチング ,  動力学