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J-GLOBAL ID：201502204919280039   整理番号：15A1053236

多結晶シリコンの性能に及ぼす種々のゲルマニウムドーピング濃度の影響【Powered by NICT】

Influence of Different Germanium Doping Concentration on the Performance of the Multi-crystalline Silicon

著者 (4件)： Su Jie (School of Materials Sci. and Engineering,Nanjing Tech Univ., Nanjing) ,  Huang Meiling (Donghai JA Solar Technol. Co.,Ltd., Lianyungang) ,  Zhong Genxiang (Donghai JA Solar Technol. Co.,Ltd., Lianyungang) ,  Huang Xinming (School of Materials Sci. and Engineering,Nanjing Tech Univ., Nanjing)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 28  号： 12B  ページ： 5-8  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ほう素をドープしたp型多結晶シリコン(mc-Si)の性能に及ぼす種々の濃度のゲルマニウム(Ge)ドーピングの影響を調べた。結果はSi中のGeドーピングは転位密度,格子間酸素濃度およびシリコンウエハの機械的強度に影響することを示した。Ge濃度はcm~(-3)で5×10~(19)より低い場合,転位密度と格子間酸素濃度は減少し,機械的強度はGe濃度の増加とともに向上した。Ge濃度はcm~で5×10~(19)(-3)のとき,Geドープシリコンウエハ中の,平均転位密度と格子間酸素濃度は3%と6%減少し,平均機械的強度はアンドープのものと比較して20%改善された。しかし,Ge濃度はcm~(-3)で1×10~(20)と高い場合,mc-Siのこれらの性能に及ぼすGeドーピングの影響が弱められた,Si中のGeドーピングはその性能に有利ではなかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 機械的強度 ,  *ポリシリコン ,  転位密度 ,  ホウ素 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  酸素濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属材料一般  (WE01000P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶シリコン ,  ゲルマニウム ,  ドーピング