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J-GLOBAL ID：201502204940540112   整理番号：15A0452571

PdドープZnOナノロッドの電気化学的成長

Electrochemical Growth of Pd Doped ZnO Nanorods

著者 (10件)： KOESEMEN Arif (Gebze Technical Univ., Kocaeli, TUR) ,  KOESEMEN Arif (Mus Alparslan Univ., Mus, TUR) ,  KOESEMEN Zuhal Alpaslan (Gebze Technical Univ., Kocaeli, TUR) ,  KOESEMEN Zuhal Alpaslan (TUBITAK UME Optics Lab., Kocaeli, TUR) ,  OEZTUERK Sadullah (Gebze Technical Univ., Kocaeli, TUR) ,  OEZTUERK Sadullah (Fatih Sultan Mehmet Vakif Univ., Istanbul, TUR) ,  KILINC Necmettin (Nigde Univ., Nigde, TUR) ,  SAN Sait Eren (Gebze Technical Univ., Kocaeli, TUR) ,  SAN Sait Eren (TUBITAK MAM, Kocaeli, TUR) ,  TUNC Ali Veysel (TUBITAK MAM, Kocaeli, TUR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 162  号： 4  ページ： D142-D146  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きな表面積をもつ純-およびPdドープZnO NRの緻密なアレイを,電気化学的成長法を介して作製した。これらのZnOを,SEM,XRD,光学顕微鏡を介してキャラクタリゼーションした。Pdイオンによるドーピングは,ZnO NRの電気化学特性を改善した。電解質中のドーピング濃度の増加は,ZnO NRの直径と長さを増加した。それは,電気化学的堆積速度の電流-時間プロットにより支持された。XRDパターンは,純-およびPdドープZnOは,六方晶ウルツ鉱相のc軸に沿う優れた配向を提示した。ドーピング濃度の増加は,吸収端のレッドシフトをもたらした。純ZnOのバンドギャップは,ドーパント濃度の0%から3%への増加により3.24eVから1.97eVに減少した。

シソーラス用語： *パラジウム化合物 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  表面積 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  光学顕微鏡 ,  ドーピング ,  電解質 ,  硫化鉱物 ,  吸収端 ,  赤方偏移 ,  バンドギャップ ,  ドーパント
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  XRD ,  ウルツ鉱 ,  ドープ ,  レッドシフト

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pd ,  ドープ ,  ZnOナノロッド ,  電気化学 ,  成長