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J-GLOBAL ID:201502205025392027   整理番号:15A0705431

炭化珪素の小ボイド中のHe-空格子点相互作用と多重He捕獲

He-vacancy interaction and multiple He trapping in small void of silicon carbide
著者 (9件):
資料名:
巻: 457  ページ: 36-41  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: D0148A  ISSN: 0022-3115  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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核融合環境では,構造材料の構造損傷と共に大量のHe原子が核転換により生じ,材料を膨潤させ物理的性質を劣化させる。本研究では,SiCの7原子ボイド中の多重He捕獲とHenVamクラスタ(n,m=1~4)のHe-空格子点相互作用を調べた。HeとHenVamクラスタの間の結合エネルギーは空格子点数と共に増加したが,空格子点の結合エネルギーはHe原子数と共に徐々に上昇した。また,直径が約0.55nmの小さな空洞はエネルギー的に最大14He原子まで適応でき,対応する内部圧力は2.5GPaと推定された。小ボイド中のHe捕獲傾向は実験で観測したHe気泡形成を説明した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の格子欠陥 

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