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J-GLOBAL ID：201502205053839992   整理番号：15A0949115

耐水性有機メモリにおける炭素フィラメントの直接観察

Direct Observation of a Carbon Filament in Water-Resistant Organic Memory

著者 (10件)： LEE Byung-Hyun (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Byung-Hyun (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  BAE Hagyoul (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SEONG Hyejeong (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Dong-Il (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  PARK Hongkeun (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Young Joo (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  IM Sung-Gap (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Sang Ouk (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 7  ページ： 7306-7313  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素フィラメントの形成及び破裂という,明確なスイッチング機構をもつフレキシブル,ウェアラブル及び耐水性有機メモリを実証した。有機RRAMに対するiCVDの使用は,溶液処理の基本的限界を克服した。高い純度及び基板への強い付着をもつiCVDベース高分子は,化学的及び機械的刺激に対するロバストな免疫を示した。有機RRAMのスイッチング機構を取り巻く論争を解決するために,炭素フィラメントの明確な証拠を,TEMによりここに報告した。さらに,炭素フィラメントは,EDS及びC-AMF分析により裏付けられた。

シソーラス用語： *炭素 ,  *フィラメント ,  *記憶装置 ,  *有機半導体 ,  *耐水性 ,  *ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  柔軟性 ,  携帯型 ,  安定性 ,  *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  スイッチング ,  ポリエチレングリコールジメタクリレート ,  電流電圧特性 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  ナノシート
準シソーラス用語： C-AFM ,  RRAM ,  ナノ薄膜 ,  有機メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 耐水性 ,  有機メモリ ,  炭素 ,  フィラメント