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J-GLOBAL ID：201502205094312222   整理番号：15A1119719

CuInS_2薄膜の形成に及ぼす硫化時間の影響【Powered by NICT】

Effect of Sulfurization Time on the Formation of CuInS_2 Thin Films

著者 (5件)： Wang Ligang (Inner Mongolia Univ. Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic Technol. of Inner Mongolia Autonomous Region, Hohhot) ,  Wang Yanlai (Inner Mongolia Univ. Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic Technol. of Inner Mongolia Autonomous Region, Hohhot) ,  Yao Wei (Inner Mongolia Univ. Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic Technol. of Inner Mongolia Autonomous Region, Hohhot) ,  Zhu Jun (Inner Mongolia Univ. Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic Technol. of Inner Mongolia Autonomous Region, Hohhot) ,  Xu Jingang (Inner Mongolia Univ. Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic Technol. of Inner Mongolia Autonomous Region, Hohhot)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 44  号： 4  ページ： 805-807  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInS_2薄膜をマグネトロンスパッタリングによりCu-In前駆体膜の硫化により作製した。得られた膜をX線回折(XRD),エネルギー分散分光法(EDS),走査電子顕微鏡(SEM),紫外可視分光光度計およびH all効果測定を用いて特性化した。結果は硫化時間は10分から30分に増加するが,薄膜の組成はほぼ安定で,結晶化がよりよく,抵抗率が増加し,膜のバンドギャップは1.42~1.55eVの範囲にあることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  X線回折 ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜 ,  結晶化 ,  *硫化 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 紫外可視分光光度計 ,  エネルギー分散分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  硫化