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J-GLOBAL ID：201502205216073983   整理番号：15A0707623

Bi₆S₂O₁₅コア/シェルナノワイヤの表面ビスマス空孔による光触媒性能向上

Photocatalytic performance enhanced via surface bismuth vacancy of Bi₆S₂O₁₅ core/shell nanowires

著者 (5件)： WANG Jun (Dep. of Chemistry, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  JIANG Wenjun (Dep. of Chemistry, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  LIU Di (Dep. of Chemistry, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  WEI Zhen (Dep. of Chemistry, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZHU Yongfa (Dep. of Chemistry, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 176-177  ページ： 306-314  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワンポット水熱合成法により,表面ビスマス欠陥を有するコア/シェル構造のBi₆S₂O₁₅ナノワイヤを調製した。欠陥をもつBi₆S₂O₁₅ナノワイヤのUV光触媒活性は,純Bi₆S₂O₁₅ナノワイヤの約4倍であった。Bi₆S₂O₁₅ナノワイヤの光応答範囲は,表面ビスマス空孔により,370nmから450nmに大きく展開した。スーパーオキシドラジカル(O₂^-)や空孔Bi₆S₂O₁₅の電子構造の大きな変化により,正孔(h⁺)からヒドロキシルラジカル(OH)へ,主に酸化種が移動した。表面ビスマス空孔により,伝導帯(CB)を高め,Bi₆S₂O₁₅の価電子帯(VB)に,不純物状態をもたらした。CBの高い電位は,スーパーオキシドラジカル(O₂^-)の生成に役立ち,ヒドロキシルラジカルは,表面ビスマス空孔の導入により形成する表面水酸化ラジカル欠陥の結果である。価電子帯(VB)の広がりによる光誘起電子-正孔対の高い分離効率により,光触媒性能は向上し,価電子帯の最大値(VBM)の上昇により光応答が拡大するのは,エネルギーバンドギャップの狭小化の結果であった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *金属酸化物 ,  *構造 ,  *ナノワイヤ ,  *空格子点 ,  *光触媒 ,  触媒活性 ,  ワンポット合成 ,  水熱合成 ,  触媒調製 ,  ラジカル ,  活性酸素 ,  電子構造 ,  正孔 ,  ヒドロキシルラジカル ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  バンド構造 ,  バンドギャップ ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  スーパーオキシドラジカル ,  価電子帯 ,  *空孔【点欠陥】 ,  光応答 ,  光誘起

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  無機化合物の物理分析  (CC03024P)

タイトルに関連する用語 (7件)： コア ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  ビスマス ,  空孔 ,  光触媒 ,  性能向上