文献

J-GLOBAL ID：201502205250684941   整理番号：15A1263546

ナノ結晶性ダイヤモンド膜の熱エッチング

Thermal etching of nanocrystalline diamond films

著者 (10件)： SHAHIN David I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland - Coll. Park, 2135 Chemical and Nuclear Engineering Bldg. ...) ,  ANDERSON Travis J. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  FEYGELSON Tatyana I. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  PATE Bradford B. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  WHEELER Virginia D. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  GREENLEE Jordan D. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  HITE Jennifer K. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  TADJER Marko J. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  CHRISTOU Aristos (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland - Coll. Park, 2135 Chemical and Nuclear Engineering Bldg. ...) ,  HOBART Karl D. (Naval Res. Lab., 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 59  ページ： 116-121  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶性ダイヤモンド薄膜の選択的エッチングを目的とする乾式法はプラズマエッチングの代替法として開発されている。この製法は,膜に垂直だけでなくマスク底面に対して横方向にも制御してエッチングするために,700-800°Cの温度に制御した酸素雰囲気にマスクしたダイヤモンド膜をさらすことに依拠している。もし下にあるダイヤモンド膜がマスク蒸着とダイヤモンドエッチングの前に完全にガス抜きされるならば,SiO₂,SiN₄及びAl₂O₃膜はこの工程用の実用的なマスク材料となる。予想されるように,エッチングはより高温ではより急速に起こった。エッチ速度は垂直方向よりも横方向でより高く,そのことが無秩序化した粒界及び下にある核生成層にそっての加速したエッチングの結果であると考えている。700°Cから800°Cでの横と縦両方のエッチングに対して類似した活性化エネルギー(136-140kJ/mol)を得た。顕微鏡法とRaman分光法で示唆されるように,本研究で開発した乾式エッチング方法によって,ダイヤモンド膜は曝露フィーチャから除去/移動されかつ制御した速度でマスク領域が切り取られる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  ナノ結晶 ,  蒸着膜 ,  エッチング ,  乾式法 ,  マスク ,  二酸化ケイ素 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  温度依存性 ,  時間依存性 ,  *酸化 ,  加工速度 ,  依存性 ,  核形成 ,  活性化エネルギー ,  走査電子顕微鏡 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *エッチング速度 ,  *ナノ結晶性ダイヤモンド膜 ,  *熱エッチング ,  方向依存性

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ結晶 ,  ダイヤモンド膜 ,  エッチング