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J-GLOBAL ID：201502205262145581   整理番号：15A0169676

単層ホスホレン上の金属吸着原子の吸着

Adsorption of metal adatoms on single-layer phosphorene

著者 (6件)： KULISH Vadym V. (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP) ,  KULISH Vadym V. (Inst. of High Performance Computing, Singapore, SGP) ,  MALYI Oleksandr I. (Univ. Oslo, Oslo, NOR) ,  PERSSON Clas (Univ. Oslo, Oslo, NOR) ,  PERSSON Clas (Royal Inst. of Technol., Stockholm, SWE) ,  WU Ping (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 992-1000  発行年： 2015年01月14日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層ホスホレン上の20種の吸着原子の吸着エネルギー,幾何学,磁気モーメント,電子構造について系統的に研究した。ホスホレンの電子構造および電荷キャリアタイプは,吸着した原子により幅広く調整できることを見出した。Ni,Cu,Ag,Pd,Ptなどの吸着原子は,バンドギャップの外側に完全に位置して,電気的に不活性状態を形成する。Si,Ge,Pなどの共有結合吸着原子は,特徴的な局在化中間ギャップを形成する。Ti,V,Cr,Mn,FE,Coなどの遷移金属吸着原子は,全バンドギャップ域を横切るスピン分極状態ならびに価電子帯および伝導帯におけるピークを形成する。

シソーラス用語： *原子 ,  *吸着 ,  *密度汎関数法 ,  近似法 ,  幾何学 ,  電子構造 ,  磁気モーメント ,  吸着エネルギー ,  キャリア ,  エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  遷移金属 ,  伝導バンド ,  ニッケル化合物 ,  銅化合物 ,  銀化合物 ,  ケイ素化合物 ,  共有結合 ,  ゲルマニウム化合物 ,  リン化合物 ,  チタン化合物 ,  バナジウム化合物 ,  クロム化合物 ,  スピン分極 ,  黒リン
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  PAW【計算】 ,  *吸着原子 ,  中間ギャップ ,  伝導帯 ,  電荷キャリア ,  ホスホレン

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  ホスホレン ,  吸着原子 ,  吸着