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J-GLOBAL ID:201502205290377145   整理番号:15A0249132

超高アスペクト比のSb2Se3ナノワイヤの制御型ソルボサーマル合成およびその光伝導特性

Controlled solvothermal synthesis of ultrahigh-aspect-ratio Sb2Se3 nanowires and their photoconductive properties
著者 (3件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 970-977  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,超高アスペクト比のSb2Se3ナノワイヤをマイルド水熱処理を制御して作製した。ここで合成したままの試料を,X線回折,X線光電子スペクトル,走査電子顕微鏡観察,高分解能透過電子顕微鏡観察および選択領域電子回折を用いて特性評価した。その結果,合成したままの生成物は直径が20~30nmの範囲で長さが30μmのワイヤ状であることを明らかにした。その一方で,前駆体の濃度,エチレンジアミンの影響,反応時間,メカニズムの形成などの各種の実験パラメータを検討し,Sb2Se3の光伝導特性も詳細に調べた。更に,著者らの知っている限りでは,ベンジルアルコール系の下でのSb2Se3ナノ材料の1ポット合成の報告はなかった。Copyright 2014 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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光伝導,光起電力 
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