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J-GLOBAL ID：201502205291135588   整理番号：15A1063508

共スパッタリングSn豊化前駆体の後硫化による効率的なCu₂ZnSnS₄太陽電池の作製経路の探索

Searching for a fabrication route of efficient Cu₂ZnSnS₄ solar cells by post-sulfuration of co-sputtered Sn-enriched precursors

著者 (9件)： FENG Ye (Center for Photovoltaics and Solar Energy, Shenzhen Institutes of Advanced Technol., Chinese Acad. of Sciences ...) ,  YU Bing ,  CHENG Guanming ,  LAU Tszki ,  LI Zhaohui ,  YIN Ling ,  SONG Qiuming ,  YANG Chunlei ,  XIAO Xudong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 37  ページ： 9650-9656  発行年： 2015年10月07日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜形成過程のSn損失を,Sn豊化前駆体を用いたスパッタリング/硫化アプローチを利用して,系統的に検討した。CZTS吸収体中に残存するSn含有量は,硫化温度ピーク,硫化雰囲気中のH₂S濃度,温度上昇速度および前駆体中のZn含有量に強く依存した。Sn含有量を,熱処理過程時のSn損失で制御できたので,CZTS薄膜の最終的な組成を,前駆体中のCu/Zn比率を調整することで簡単に操作できた。このような経路により,高度効率太陽電池をSn豊富前駆体から達成できた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  前駆体 ,  スパッタリング ,  硫化 ,  焼なまし ,  反応温度 ,  硫化水素 ,  薄膜 ,  *構成 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  濃度 ,  速度 ,  上昇 ,  含有量 ,  速度依存性 ,  濃度依存性 ,  *反応経路 ,  効率
準シソーラス用語： アニーリング ,  効率性 ,  上昇速度 ,  組成依存性 ,  *薄膜形成

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  スパッタリング  (BK16110U) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 共スパッタリング ,  Sn ,  前駆体 ,  硫化 ,  Cu2ZnSnS4 ,  太陽電池 ,  作製 ,  経路 ,  探索