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J-GLOBAL ID：201502205306673484   整理番号：15A1231052

小さな銀ナノ粒子による修飾によってゲート電圧に無関係な応答性と光感受性を示すペンタセン系光応答型トランジスタ

Pentacene phototransistor with gate voltage independent responsivity and sensitivity by small silver nanoparticles decoration

著者 (5件)： YUAN S.H. (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., 300, Jhongda Rd., Jhongli City, Taoyuan County 32001, Taiwan) ,  PEI Z. (Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...) ,  LAI H.C. (Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...) ,  LI P.W. (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., 300, Jhongda Rd., Jhongli City, Taoyuan County 32001, Taiwan) ,  CHAN Y.J. (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., 300, Jhongda Rd., Jhongli City, Taoyuan County 32001, Taiwan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 27  ページ： 7-11  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で,ボトムゲート構造中の銀ナノ粒子(Ag-NPs)修飾ペンタセン系光応答型トランジスタ(PT)を実証した。本素子は,極小Ag-NPsによる表面プラズモン共鳴を445nmで活用し,照明光下で安定な表面伝導チャネルを確立した。したがって,PTは,広範囲のゲート電圧でゲート電圧に無関係な応答性と光感受性を示す。ゲート電圧に無関係な光電流を説明するために,偏光表面電子を生み出す極小Ag-NPs中での光誘発性磁化を利用した。最大の応答性と光感受性は,白色照明下でそれぞれ2.1×10³と17.7mA/Wであった。これらは,通常の光応答型トランジスタよりも20Vのゲート電圧で25倍増強される。本素子は,柔軟な光学的会話型表示システム,白色光屋内通信システム,又は光学センサに利用される。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *銀 ,  *ポリアセン ,  *フォトトランジスタ ,  プラズマ共鳴 ,  *光照射 ,  *応答 ,  電圧 ,  光電流 ,  磁化率 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  白色光 ,  ポリメタクリル酸メチル
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *可視光照射 ,  *銀ナノ粒子 ,  *光応答 ,  表面プラズモン共鳴

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (8件)： 銀ナノ粒子 ,  修飾 ,  ゲート電圧 ,  応答性 ,  光感受性 ,  ペンタセン ,  光応答 ,  トランジスタ