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J-GLOBAL ID：201502205336906505   整理番号：15A1363917

V形ピットをもつInGaN/GaN発光ダイオードにおける効率低下の研究

Study of efficiency droop in InGaN/GaN light emitting diodes with V-shape pits

著者 (3件)： CHANG Chiao-Yun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Heng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Tien-Chang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9363  ページ： 93631Q.1-93631Q.6  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)の発光効率と,貫通転位に沿って形成するV形ピットの間の関係を調査した。V形ピットの回りの側壁上の薄いInGaN/GaN MQWは高い局部ネルギー障壁を生成し,それは貫通転位内の非放射再結合中心内にトラップされたキャリヤに抵抗できる。種々のInGaN/GaN超格子層をMQWの下に挿入することにより,V形ピットのサイズは適当に制御できる。V形欠陥形成を適当に制御することにより,約70%の最善の内部量子効率が,下層の15周期の超格子層をもつMQW内に見い出された。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  *量子効率 ,  *穴 ,  *貫通転位 ,  多重量子井戸 ,  側壁 ,  再結合 ,  *再結合中心 ,  キャリア捕獲 ,  超格子
準シソーラス用語： InGaN ,  内部量子効率 ,  Vピット ,  *発光効率 ,  非放射再結合 ,  欠陥形成

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： V形 ,  ピット ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  効率低下 ,  研究