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J-GLOBAL ID：201502205429218439   整理番号：15A1047060

GaN/Ga₂O₃テンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造

著者 (3件)： 渡邉則之 (NTT 集積デバイス研) ,  満原学 (NTT 集積デバイス研) ,  重川直輝 (大阪市大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-PB1-1  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *酸化ガリウム ,  *型枠 ,  *板 ,  基板 ,  光学的性質 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： *量子井戸太陽電池 ,  *InGaN ,  *テンプレート【型板】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  Ga2O3 ,  テンプレート ,  成長 ,  InGaN ,  MQW ,  太陽電池