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J-GLOBAL ID:201502205446710258   整理番号:15A1398841

シリコン電極表面での酸化還元単層を通過する電子移動の動力学における表面被覆の効果

The impact of surface coverage on the kinetics of electron transfer through redox monolayers on a silicon electrode surface
著者 (6件):
資料名:
巻: 186  ページ: 216-222  発行年: 2015年12月20日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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アルキンのヒドロシリル化を経て修飾されたシリコン電極に取り付けられ,酸化還元種と電極との間の電子移動に関する動力学的にフェロセン部位を被覆する効果を探索した。フェロセンの被覆は,銅支持アジド-アルキン付加環化反応を経たアジドメチルフェロセンと単層遠部位アルキンとの間のカップリング時間によって制御された。表面加工された全てのその他の変数は同様に保持された。そこにおいて,フェロセン部位の表面被覆が高ければ高いほど見掛けの電子移動速度も速くなることが観察された。この表面被覆依存の動力学的効果は,電子移動のためのホットスポットに向かう酸化還元フィルムを横切るフェロセン部位の電子ホッピングに起因した。それらのホットスポットは,電子移動のためのバリアを減少させる潜在シリコン表面上の少量の酸化物に由来することが暫定的に示唆された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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その他の電気・電子部品  ,  酸化,還元  ,  電池一般 
物質索引 (4件):
物質索引
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