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J-GLOBAL ID：201502205597310928   整理番号：15A1175575

低静電容量T VSデバイスの絶縁破壊電圧に及ぼすプロセスパラメータの影響【Powered by NICT】

Effects of Process Parameters on Breakdown Voltage of Low Capacitance TVS Devices

著者 (3件)： Chen Tian (BCD Semiconductor Manufacturing Ltd, Shanghai) ,  Gu Jian (BCD Semiconductor Manufacturing Ltd, Shanghai) ,  Zheng E (BCD Semiconductor Manufacturing Ltd, Shanghai)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 35  号： 2  ページ： 180-186  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低電圧・低容量過渡電圧抑制(T VS)装置の破壊特性を解析し,破壊電圧に及ぼす不純物密度,注入エネルギーとアニーリング温度の影響を最後に,afull流れを確立するプロセスパラメータを合成し,T VS装置は,このように作製した考察した。プロセス統合を同一チップ,応用における低容量の必要性を満たすことができるT VSダイオードと低容量ダイオード研究を行った。テンションレグプラットホーム(TLP)試験はこのデバイスが良好な帯電防止特性を有し,T VSデバイスの信頼性,主要デバイスを保護するために有用なを改善することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  *静電容量 ,  帯電防止 ,  信頼性 ,  ダイオード ,  *プロセスパラメータ
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  低電圧 ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  物理学一般  (BA01010T) ,  電子工学一般  (NC01000A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 静電容量 ,  Vs ,  絶縁破壊電圧 ,  プロセスパラメータ