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J-GLOBAL ID：201502205634523066   整理番号：15A1037523

噴霧In₂S₃膜の特性に与える基板温度効果

Substrate temperature effect on properties of sprayed In₂S₃ films

著者 (8件)： BOUGUILA N. (Univ. de Gabes, Lab. de Physique des Materiaux et des Nanomateriaux appliquee a l’environnement, Fac. des Sciences ...) ,  KRAINI M. (Univ. de Gabes, Lab. de Physique des Materiaux et des Nanomateriaux appliquee a l’environnement, Fac. des Sciences ...) ,  TIMOUMI A. (National Engineering School of Tunis, Photovoltaic and Semiconductor Materials Lab., Belvedere, PO Box 37, 1002 ...) ,  TIMOUMI A. (Umm AL-Qura Univ., Dep. of Physics, Coll. of Applied Sci., Makka, Saudi Arabia) ,  HALIDOU I. (Univ. Abdou Moumouni, Dep. de Physique, Fac. des Sciences et Techniques, BP 10662, Niamey, Niger) ,  VAZQUEZ-VAZQUEZ C. (Univ. of Santiago de Compostela, Lab. of Magnetism and Nanotechnology, Inst. of Technological Res., 15782, Santiago ...) ,  LOPEZ-QUINTELA M. A. (Univ. of Santiago de Compostela, Lab. of Magnetism and Nanotechnology, Inst. of Technological Res., 15782, Santiago ...) ,  ALAYA S. (Univ. de Gabes, Lab. de Physique des Materiaux et des Nanomateriaux appliquee a l’environnement, Fac. des Sciences ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 10  ページ： 7639-7648  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 噴霧熱分解法によりガラス基板上にIn₂S₃膜を成長させた。300~500°Cの基板温度で堆積を実行し,モル比は2に固定した。この膜の特性をX線回折,エネルギー分散分光法,原子間力顕微鏡観察および分光測色計で決定した。この特性は基板温度に関連している。この膜は多結晶であり,ここで得た材料は立方晶相を形成したIn₂S₃であり,(400)に向けて優先的に配向去れている。このことをX線回折スペクトルにより示した。基板温度の増加と共に,この膜の粒径は25nmから31nmに増加するが,微小歪は4.68×10^-3から3.85×10^-3に減少した。平均表面粗さは340°Cで最小値を通過する。可視領域および近赤外領域で80%の光透過を達成した。バンドギャップエネルギーは2.33~2.6eVの範囲内であることが分かった。静的屈折率n(λ),振動エネルギーギャップE_oおよび分散エネルギーE_dをWemple-Didomenicoモデルにより決定した。本研究の波長範囲内でIn₂S₃膜の複素誘電率を計算した。屈折率分散データはWemple-Didomenicoモデルの単一振動子に従うことが分かった。このデータから,分散パラメータ,振動エネルギーおよび高周波誘電率を決定した。高い基板温度に対してHall効果測定を行った。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *噴霧法 ,  *熱分解 ,  *インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  *半導体薄膜 ,  *基板温度 ,  *温度依存性 ,  インジウム ,  硫黄 ,  モル比 ,  基板 ,  化合物半導体 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  スペクトロスコピー ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  測色計 ,  多結晶 ,  立方晶系 ,  優先配向 ,  粒径 ,  歪 ,  表面粗さ ,  可視光 ,  近赤外線 ,  光透過 ,  バンドギャップ ,  屈折率 ,  振動エネルギー ,  複素誘電率 ,  振動子 ,  誘電率 ,  Hall効果 ,  光学定数 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  反射スペクトル ,  光吸収 ,  吸収係数
準シソーラス用語： 噴霧熱分解 ,  硫化インジウム ,  ガラス基板 ,  III-VI族半導体 ,  エネルギー分散分光法 ,  分光測色計 ,  微小歪 ,  静的屈折率 ,  分散エネルギー ,  単一振動子 ,  高周波誘電率

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 噴霧 ,  温度効果