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J-GLOBAL ID：201502205659008174   整理番号：15A0908508

a-Si:H(i)/Al₂O₃表面不動態化スタック中の原子層堆積Al₂O₃膜の酸化前駆体依存性

Oxidation precursor dependence of atomic layer deposited Al₂O₃ films in a-Si:H(i)/Al₂O₃ surface passivation stacks

著者 (4件)： XIANG Yuren (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHOU Chunlan (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIA Endong (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Wenjing (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:137 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KOH溶液研磨したn型太陽級単結晶Si(100)ウエハ上にa-Si:H(i)/Al₂O₃スタックを作製した。a-Si膜とa-Si:H(i)/Al₂O₃スタックによるSi不動態化に対する界面捕獲密度スペクトルを非接触コロナ容量電圧法により得た。a-Si:H(i)/Al₂O₃スタック作製後,最小界面捕獲密度は元の3×10¹²から1×10¹²cm^-2eV^-1へ低下し,表面の全電荷密度はプラズマ増強原子層堆積試料でほぼ一桁上昇し,キャリア寿命は約10μsから約30μsへ延びた。電場効果不動態化と化学不動態化の観点から,a-Si:H(i)/Al₂O₃スタック表面不動態化とAl₂O₃上に及ぼす原子層堆積Al₂O₃の影響を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  ウエハ【IC】 ,  *不動態化 ,  密度 ,  キャリア捕獲 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  薄膜 ,  *アモルファスシリコン ,  キャリア寿命 ,  *水素化物 ,  前駆体 ,  *太陽電池 ,  積層構造
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  Siウエハ ,  界面トラップ ,  原子層堆積 ,  酸化物前駆体 ,  *表面不動態化 ,  捕獲密度 ,  *アモルファスシリコン太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  Al2O3 ,  表面不動態化 ,  スタック ,  原子層堆積 ,  酸化 ,  前駆体 ,  依存性