文献

J-GLOBAL ID：201502205728622831   整理番号：15A0871837

プラズマ化学気相蒸着によるSiO₂基板上でのグラフェンの直接成長による電気的装置性能の改善

Improvement of Electrical Device Performances for Graphene Directly Grown on a SiO₂ Substrate by Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (3件)： SUZUKI Hiroo (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.) ,  KATO Toshiaki (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.) ,  KANEKO Toshiro (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.)
資料名： Plasma and Fusion Research (Web)  (Plasma and Fusion Research (Web))
巻： 9  ページ： 1206079-1206079 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0045A  ISSN： 1880-6821  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ化学気相蒸着(CVD)における成長温度や成長時間のような成長条件を精密に制御することにより,SiO₂基板上で直接成長うるグラフェンの電気装置特性を改良した。適切な成長温度と時間を組み合わせる場合に限り,高品質で均一なグラフェンシートがSiO₂基板上に直接成長される。ゲートバイアス電圧(V_gs)に対するソースドレイン電流(I_ds)を順方向および逆方向掃引する場合のヒステリシスは小さい。これは,移送を伴わない方法であるプラズマCVDにより製作されたグラフェン装置の表面が清浄であることによる。製作したグラフェンの内部シート抵抗を評価するための四点探針測定により170~200Ω/平方を得た。この値は他の方法でSiO₂基板上に直接成長させたグラフェンに比べてはるかに低い。この低いシート抵抗はプラズマCVDで得られたグラフェンが高品質であるためと想定される。これらの結果は,本方法がグラフェン利用高性能電気装置を製作する上で有望であることを意味している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *プラズマCVD ,  シート抵抗 ,  薄膜成長 ,  プローブ
準シソーラス用語： 探針 ,  プラズマ化学気相蒸着

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  プラズマ装置  (BJ02082I)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ化学 ,  気相蒸着 ,  SiO2 ,  グラフェン ,  成長