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J-GLOBAL ID：201502205991488643   整理番号：15A1261768

γ-Al₂O₃エピタキシャル薄膜を用いたSiへのスピン注入素子の作製

著者 (4件)： 高橋望 (北大 大学院総合化学院) ,  柳瀬隆 (北大 大学院工学研究院) ,  長浜太郎 (北大 大学院工学研究院) ,  島田敏宏 (北大 大学院工学研究院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 45th  ページ： ROMBUNNO.20PS20  発行年： 2015年10月19日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミナ ,  *薄膜 ,  *注入 ,  *FET【トランジスタ】 ,  固体素子 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  格子不整合 ,  結晶度 ,  *エピタキシャル膜 ,  電子素子
準シソーラス用語： *Al2O3 ,  Si ,  *スピンFET ,  *スピン注入 ,  結晶性 ,  電子デバイス

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： γ-AL2O3 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  Si ,  スピン注入 ,  作製