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文献
J-GLOBAL ID:201502206205215333   整理番号:15A0859581

MBEによってInP基板上に作製されたII-VI化合物半導体の光学デバイスに対するpサイド接触層の研究

Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE
著者 (4件):
資料名:
巻: 425  ページ: 199-202  発行年: 2015年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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InP基板上のII-VI化合物半導体の光学デバイスにおける活用に対してより適しているかを評価するためにNドーピングされたp形ZnTeとZnSeTe接触層を研究した。分子ビームエピタクシ(MBE)によってInP基板上に成長させたp-nダイオード試料を利用して,接触層と数個の電極材料(Pd/Pt/Au,Pd/AuおよびAu)間の接触抵抗(Rc)を円形の伝送路モデル(c-TLM)法で測定した。ZnTe接触とPd/Pt/Au電極の組み合わせの場合において最も低いRc(6.5×10-5Ωcm2)が得られた。その組み合わせが低いRcを入手するのに適当であることが立証された。異なった接触層の効果を調査するためにZnTeとZnSeTep-接触層を有する黄色発光ダイオードデバイスをMBEによって作製した。室温の直流注入の下でデバイス特性を評価した。約600nmでの黄色発光を各デバイスで観測した。他のデバイスと比べてZnTe接触層とPd/Pt/Au電極を有するデバイスに対してより高い放出強度と下方スロープ抵抗を獲得した。これらのデバイス性能はZnTe接触とPd/Pt/Au電極の組み合わせの低いRcに起因している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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