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J-GLOBAL ID：201502206460056460   整理番号：15A0825982

GaNH EMT高効率逆クラスF電力増幅器Sバンド広帯域の設計【Powered by NICT】

Design of S-Band Wide-Band GaN HEMT High Efficiency Inverse Class-F Power Amplifier

著者 (5件)： Wang Ren (Chengdu Microarray Technologies Corp. Ltd., Chengdu) ,  Luo Xiaojun (Chengdu Microarray Technologies Corp. Ltd., Chengdu) ,  Yang Shirun (Chengdu Microarray Technologies Corp. Ltd., Chengdu) ,  Xu Hongbo (Chengdu Microarray Technologies Corp. Ltd., Chengdu) ,  Zhu Shigui (Chengdu Microarray Technologies Corp. Ltd., Chengdu)
資料名： Weibo Xuebao  (Weibo Xuebao)
巻： 30  号： 5  ページ： 59-62  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2385A  ISSN： 1005-6122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 設計広帯域GaNH EMT逆F級(クラスF)電力増幅器のための方法を提示した。増幅器設計法は,改善されたスケーラブルAngelovモデルに基づいたGaNH EMTの大信号モデリングから始まる。,クラスFの入力と出力インピーダンス特性は,出力容量補償を考慮したロードプルシミュレーションにより解析した。最後に,広帯域,高効率の考慮での最終設計のために選択されるクラスF1増幅器のための最良のインピーダンス。1 25mmゲート周辺回路を有するGaNH EMTを用いて,この方法を実証することである。増幅器は2 9GHzの中心周波数での相対帯域幅40%以上のドレイン効率60%以上を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 補償 ,  *電力増幅器 ,  *増幅器 ,  インピーダンス ,  *広帯域 ,  出力インピーダンス
準シソーラス用語： 中心周波数 ,  *Sバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： EMT ,  高効率 ,  クラス ,  電力増幅器 ,  Sバンド ,  広帯域 ,  設計