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J-GLOBAL ID：201502206542706420   整理番号：15A1133747

グラフェン層を通しての垂直方向と横方向の銅輸送

Vertical and Lateral Copper Transport through Graphene Layers

著者 (10件)： LI Ling ,  CHEN Xiangyu (Stanford Univ., California, USA) ,  WANG Ching-Hua (Stanford Univ., California, USA) ,  CAO Ji (Stanford Univ., California, USA) ,  LEE Seunghyun (Stanford Univ., California, USA) ,  TANG Alvin (Stanford Univ., California, USA) ,  AHN Chiyui (Stanford Univ., California, USA) ,  ROY Susmit Singha (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  ARNOLD Michael S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., California, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 8  ページ： 8361-8367  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅の固体内拡散の障壁層としてグラフェン層の利用について検討した。グラフェン層の拡散障壁としての信頼性を高めるために,グラフェン層を通しての銅の輸送を解析した。時間依存性誘電体破壊試験を行い,単層グラフェンの拡散障壁の性能を調べた。電場印加領域を変えて垂直方向と横方向の輸送を調べた。また,古典的なモデルを修正して,拡散障壁の性能を解析した。この結果をTaNの拡散障壁を比較した。3.5Åの単層グラフェンは4nmのTaNに匹敵した。グラフェン層の粒界は垂直輸送に影響し,大きな粒界では,小さな粒界と比較して,銅輸送の寿命が長くなることが分かった。単層グラフェンの結晶品質を改善することで,グラフェン層の信頼性を高めることができる。

シソーラス用語： *銅 ,  輸送現象 ,  横方向 ,  垂直方向 ,  *グラフェン ,  単一層 ,  拡散障壁 ,  絶縁破壊 ,  鉛直輸送 ,  結晶粒度 ,  固体内拡散 ,  電場効果 ,  タンタル化合物 ,  窒化物 ,  結晶粒界 ,  窒化タンタル ,  経時絶縁破壊
準シソーラス用語： 時間依存性誘電体破壊

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  垂直方向 ,  横方向 ,  銅 ,  輸送