Schottky接合と熱電子放出の両方に基づくIn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ナノタワー水素ガスセンサ

ZHENG Zhao Qiang; ZHENG Zhao Qiang; ZHU Lian Feng; WANG Bing

文献

J-GLOBAL ID：201502206900418083 整理番号：15A0948899

Schottky接合と熱電子放出の両方に基づくIn₂O₃ナノタワー水素ガスセンサ

In ₂ O ₃ Nanotower Hydrogen Gas Sensors Based on Both Schottky Junction and Thermoelectronic Emission

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巻： 10 号： 1 ページ： 10:293 (WEB ONLY) 発行年： 2015年12月
JST資料番号： U7001A ISSN： 1931-7573 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

In₂O₃と活性炭の混合粉末の熱蒸着を用いて,間隔が1.5μmと比較的狭いCr櫛形状交差指型電極上にIn₂O₃ナノタワー形状ナノ構造ガスセンサを作製した。In₂O₃ナノタワーとCr櫛形状交差指型電極の間のSchottky接触はCr/In₂O₃ナノタワーSchottkyダイオードを形成した。その対応する温度依存I-V特性を測定した。ダイオードは0.45Vの低いSchottky障壁高さと室温で2.93の理想因子を示した。In₂O₃ナノタワーガスセンサは120~275°Cで水素濃度2~1000ppmに対して,高応答(240°Cでの83%から1000ppm H₂),良好な選択性(H₂,CH₄,C₂H₂,およびC₃H₈に対する応答),そしてべき指数βの理想値からの小さい狂い(240°Cでの0.47578)などの優れたガス検知特性を示した。センサは30日の動作温度240°Cの下で1000ppm H₂暴露の間長期間安定性を示した。X線光電子分光法(XPS)により確認されたIn₂O₃ナノタワーに存在する多数の酸素原子空孔と化学吸着酸素イオン,Cr/In₂O₃ Schottky接合におけるSchottky障壁高さの変化,および二つのIn₂O₃ナノタワー間の接触による熱電子放出,それらがH₂センシングメカニズムに主に寄与している。In₂O₃ナノタワーの成長メカニズムは気相-固相(VS)過程であると説明することができる。(翻訳著者抄録)

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分析機器

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Schottky接合と熱電子放出の両方に基づくIn2O3ナノタワー水素ガスセンサ

Schottky接合と熱電子放出の両方に基づくIn₂O₃ナノタワー水素ガスセンサ