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J-GLOBAL ID：201502207345863650   整理番号：15A1127886

有機薄膜トランジスタの性能に及ぼす金属電極と有機半導体層の作製プロセスの影響【Powered by NICT】

Effects of Fabrication Process of Metal Electrode and Organic Semi-conductor Layer on Performance of Organic Thin-Film Transistors

著者 (5件)： Zhu Dalong (School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai) ,  Xie Yingtao (School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai) ,  Xu Xin (School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai) ,  Ouyang Shihong (School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai) ,  Fang Hankeng (School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 36  号： 1  ページ： 88-91  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高分子絶縁体と半導体に基づいて,有機薄膜トランジスタ(有機薄膜トランジスタ)をスピンコーティングを用いて作製した。有機薄膜トランジスタの性能を改善するために,有機半導体層,ゲートとドレインは異なる方法で作製した。結果はデバイスの異なる調製プロセスは接触抵抗に明白な効果を持つであろうことを示した。パターン化された有機半導体層後I_on/I_off比の著明な改善を持つであろう。リフトオフプロセスを用いた場合,高分子絶縁材料に最初にフォトレジストをパターン化する必要があり,次いで真空蒸着を用いた絶縁層上に金属電極を堆積した。最後に,デバイスは70°Cの温度下で約30分NMP溶液に導入し,接触抵抗は4.8×10~7Ωとして得られた。絶縁層材料中の蒸発させられた金属電極上の湿式エッチングプロセスを用いて接触抵抗に明白な効果を持つであろうと,接触抵抗は約3.6×10~6Ωに減少する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接触抵抗 ,  絶縁材料 ,  真空蒸着 ,  ドレイン【半導体】 ,  高分子 ,  フォトレジスト ,  スピンコーティング ,  *有機半導体 ,  パターン形成 ,  *半導体 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  金属電極 ,  有機半導体 ,  作製 ,  プロセス