光架橋とポストスルホン化を行ったSEBS-DVB膜の単電池性能と電気化学的キャラクタリゼーション

DEL Rio C.; DEL Rio C.; GARCIA O.; GARCIA O.; MORALES E.; MORALES E.; ESCRIBANO P.G.; ESCRIBANO P.G.

文献

J-GLOBAL ID：201502207368470884 整理番号：15A1038105

光架橋とポストスルホン化を行ったSEBS-DVB膜の単電池性能と電気化学的キャラクタリゼーション

Single cell performance and electrochemical characterization of photocrosslinked and post-sulfonated SEBS-DVB membranes

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資料名：
巻： 176 ページ： 378-387 発行年： 2015年09月10日
JST資料番号： B0535B ISSN： 0013-4686 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究はプロトン交換膜(PEM)として使用するための,UV光架橋とポストスルホン化を行ったs(SEBS-DVB)膜の調製を記述している(s-SEBS=スルホン化ポリ(スチレン-b-[エチレン-co-ブチレン]-b-スチレン。DVB=ジビニルベンゼン)。光架橋を,水の吸収量を減少し,寸法安定性を向上させるため有用な方法として選択し,一方,ポストスルホン化反応はスルホン基が他の種々の分子間の光架橋する可能性をなくする。実験膜を評価し,IEC(イオン交換能力),膨潤比(水中とクロロホルム中),FTIR-ATR及び熱特性(TGA,DSC)の観点により元々のsSEBSと比較した。モルフォロジーをSEMとAFMを用いて研究した。膜を単電池中に嵌め込み,in situ面通過プロトン伝導度,水素クロスオーバー及び電池性能を80°C,大気圧及び100%相対湿度で測定するため電気化学的にキャラクタリゼーションした。架橋剤量(DVB)と照射時間による影響を試験した。こうして,s(SEBS-DVB 75~25)の15分間の照射は他から大きく目立ち,約2300m Acm^-2の最大電流密度に達し,最大の出力密度は700m Wcm^-2以上であった。一方,sSEBSの場合のこれらの値はそれぞれ,1700mA cm^-2と478 m Wcm^-2であった。この結果は,光架橋とポストスルホン化は,sSEBSベースの膜中の過剰の水膨潤の問題を低減させるのに有効な方法であり,良好な性能をもたらすことを示している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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燃料電池 , 高分子固体のその他の性質 , 電解装置

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