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J-GLOBAL ID:201502207454999170   整理番号:15A1215694

CPW容量を考慮したAlGaN/GaNH EMTの小信号モデリング【Powered by NICT】

Small signal modeling of AlGaN/GaN HEMTs with consideration of CPW capacitances
著者 (8件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 034009-1-034009-4  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2377A  ISSN: 1674-4926  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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高周波でのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ上のコプレーナ導波路(CPW)効果を考えると,従来の等価回路モデルは,素子の電気的特性を正確に記述できない。周波数が40GHzより高いときCPW容量のアドミタンスが大きいデバイスへの影響は無視できない。本研究では,CPW静電容量を考慮した小信号等価回路モデルを提供した。モデルを検証するために,Sパラメータモデリングと測定から得た。シミュレーションと測定結果の間で観察され,モデルの信頼性を示している良く一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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トランジスタ 
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