文献

J-GLOBAL ID：201502207458299114   整理番号：15A1084863

アモルファス状タングステン膜上への酸化タングステンナノワイヤ成長

Tungsten oxide nanowires grown on amorphous-like tungsten films

著者 (9件)： DELLASEGA D (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  PIETRALUNGA S M (IFN, CNR, Milano, ITA) ,  PEZZOLI A (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  RUSSO V (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  NASI L (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  CONTI C (ICVBC, CNR, Milano, ITA) ,  VAHID M J (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  TAGLIAFERRI A (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  PASSONI M (Politecnico di Milano, Milano, ITA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 36  ページ： 365601,1-10  発行年： 2015年09月11日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス状タングステン(W)膜を真空中でアニールすることで,酸化タングステンナノワイヤを合成した。酸素は,アニール前のWに吸着している。パルスレーザ堆積法で作製したタングステン膜は,非平衡構造であり,未結合酸素を多く含んでいる。アニール温度は500~710°C範囲であり,その温度により成長するナノワイヤの結晶構造と化学当量が変化する。得られたナノワイヤの最大長と最大アスペクト比は各々,3.6μmと90であった。

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *ナノワイヤ ,  膜 ,  *タングステン ,  *パルスレーザ蒸着 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *アモルファス膜 ,  *パルスレーザ堆積 ,  *真空焼なまし ,  アニール

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス状 ,  タングステン ,  酸化タングステン ,  ナノワイヤ ,  成長