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J-GLOBAL ID：201502207498880529   整理番号：15A1389014

ストライプ形状のインダクタの高周波特性とそれを用いた電圧制御発振器の特性

A Study of High-Frequency Characteristics of Stripe Shaped Inductor and its Application for Voltage-Controlled Oscillator

著者 (7件)： 伊藤信之 (岡山県大 情報工) ,  辻大輝 (岡山県大 情報工) ,  板野由佳 (岡山県大 情報工) ,  板野由佳 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  森下賢幸 (岡山県大 情報工) ,  小椋清孝 (岡山県大 情報工) ,  吉富貞幸 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 261(EST2015 69-90)  ページ： 97-102  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 準ミリ波からミリ波の高周波領域で顕在化する表皮効果によるインダクタの寄生抵抗の上昇およびそれに伴うQ値の劣化を抑制するために,ストライプ形状のインダクタを考案した。提案するストライプ形状のインダクタは,通常のインダクタより断面の周辺長を長くすることにより寄生抵抗を低減させる構造である。その効果の検証のため,通常形状のインダクタとストライプ形状のインダクタおよびそれらのインダクタを搭載した20~40GHzの電圧制御発振器を試作・評価した。その結果,ストライプ形状のインダクタは通常形状のインダクタに対して約1.5倍のQ値の向上,約1.6倍のコーナー周波数の高周波化を示すことを確認した。また,ストライプ形状のインダクタを用いた20~40GHzの電圧制御発振器は通常形状のインダクタを用いたそれに対して,1MHz離調において約3dBの位相雑音の向上を確認した。本研究では65nm CMOSプロセスを用いた。(著者抄録)

シソーラス用語： *マイクロ波集積回路 ,  EHF波 ,  *VCO【発振器】 ,  位相雑音 ,  LC回路 ,  インダクタ ,  設計 ,  表皮効果 ,  電気抵抗 ,  Q値 ,  半導体プロセス ,  周波数
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  LC共振回路 ,  コーナ周波数 ,  *ミリ波集積回路 ,  寄生抵抗 ,  形状設計 ,  低位相雑音

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  集積回路一般  (NC03161C)

引用文献 (9件)：

• K. Okada, et. al., "Full Four-Channel 6.3-Gb/s 60-GHz CMOS Transceiver with Low-Power Analog and Digital Baseband Circuitry," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 48, No. 1, pp. 46-65, Jan. 2013.
• K. Katayama, et. al., "28mW 10Gbps Transmitter for 120GHz ASK Transceiver," Dig. of International Microwave Symposium, pp.1-3, Jun. 2012.
• D. B. Leeson, "A simple model of feedback oscillator noise spectrum," Proceedings IEEE, vol. 54, pp329-330, Feb., 1966.
• N. Itoh, et. al., "Channel Noise Enhancement in Small Geometry MOSEFT and Its Influence on Phase Noise Calculation of Integrated Voltage-Controlled-Oscillator," John Wiley & Sons, International Journal of Numerical Modelling, vol.18, No.4, pp.255-266, Jul. 2005.
• H. Kimijima, et. al., "Improvement of 1/f noise by using VHP (Vertical High Pressure) oxynitridegate insulator for deep-sub micron RF and analog CMOS,"Symp. VLSI Tech. Dig., pp.119-120, Kyoto, 1999.

タイトルに関連する用語 (3件)： インダクタ ,  高周波特性 ,  電圧制御発振器