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J-GLOBAL ID:201502207663843846   整理番号:15A0859796

四成分系のセレニド化合物Ba4Ga4SnSe12の電子構造および光学的特性の探索: 太陽電池応用に向けて

Exploring the electronic structure and optical properties of the quaternary selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: For photovoltaic applications
著者 (3件):
資料名:
巻: 229  ページ: 260-265  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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エネルギー用の新しい材料発見に関する大きな需要に起因して,第一原理計算を利用し,最近の四成分系セレニド,即ちBa4Ga4SnSe12の電子構造や光学的特性の探索を行った。Ba4Ga4SnSe12の電子構造や光学的特性を,Engle Vosko-GGA(EV-GGA)の信頼できる方法を通して計算した。Ba4Ga4SnSe12は,Γに位置する直接的なバンドギャップ2.14eVを持つことが分かった。Ba4Ga4SnSe12,の基本的な特性を取得し,0~14eVのエネルギー範囲の線形光学特性様誘電関数を検討した。誘電関数から,二つの成分に対する弱い方向異方性に気が付いた。吸収スペクトルは,より大きな複数の方向と可視光領域の間接的なバンド間遷移を示し,実験的スペクトルと同様な挙動を示した。Ba4Ga4SnSe12を,UV放射からのシールド材料として利用できた。本研究により,Ba4Ga4SnSe12は,それらの太陽放射の高い吸収や可視光領域での光伝導性に起因して,太陽電池応用に有望であると予測した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (6件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  電気化学反応  ,  無機化合物一般及び元素  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  分子の電子構造  ,  光伝導,光起電力 

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