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J-GLOBAL ID：201502207679126478   整理番号：15A1017425

1μJレーザーダイオードでトリガするGaAs PCSSの特性

Characteristics of GaAs PCSS Triggered by 1μJ Laser Diode

著者 (4件)： ZHANG Tian (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LIU Kefu (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  GAO Shijia (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SHI Yiwei (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 22  号： 4  ページ： 1991-1996  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,導波路を介してレーザーダイオードによって動作させる半絶縁GaAs PCSS(光伝導半導体スイッチ)における,レーザーエネルギー密度のPCSSの出力特性への影響について研究した。主波長905nmのレーザーのレーザエネルギーとレーザーパワーを個別に1μJと33.3Wに固定した。そして,照射するレーザースポットの形を変えることにより,単位面積当たりの平均トリガエネルギーを変化させて,それがPCSSの出力電圧,オン状態抵抗,遅延時間,ジッタ等出力特性に及ぼす影響を調べた。その結果,全トリガーエネルギーだけでなくエネルギー密度もPCSSの特性に影響することが分かった。関連する理論的説明も加えた。

シソーラス用語： *スイッチ ,  光伝導素子 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体素子 ,  エネルギー密度 ,  *トリガ回路 ,  特性
準シソーラス用語： パルスパワー ,  レーザーダイオード【素子】 ,  出力特性 ,  *電力半導体スイッチ

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザーダイオード ,  トリガ ,  GaAs