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J-GLOBAL ID:201502207697667729   整理番号:15A0788049

擬二元mGeTe・Bi2Te3(m=3~8)ナノワイヤのその場温度依存透過電子顕微鏡研究と第一原理計算

In Situ Temperature-Dependent Transmission Electron Microscopy Studies of Pseudobinary mGeTe Bi2Te3 (m = 3-8) Nanowires and First-Principles Calculations
著者 (11件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 3923-3930  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GeTeとBi2Te3の気相のBi含有量x=[Bi]/([Ge]+[Bi])を0~0.4と変化して一連のGBTナノワイヤ(NW)を気相輸送によりVLS成長し,その場TEMを用いて400°までのNWの構造と結晶相の変化をモニタし,個々のNW電流電圧特性の組成依存性を調べた。x≧0.2ではxの増大によりNWは立方晶(C)相から六方晶(H)相に変化し,周期的な2.2~3.8nmの平板による超格子構造を示した。大きなxに対する組成はより高い熱安定性を示し,400°CにおいてH相から単結晶C相へ相転移した。第一原理計算を用いて,GBTNW及びBiをSbに置換したGSTNWの超格子構造を調べxの増大によりH相の安定性が増大し,しかも安定性の差はGBTよりGSTでより顕著であることを示した。個々のGBTNWの抵抗率は3~25mΩcmの範囲であり,H相はC相より低い抵抗率を示し,これらの結果は計算でも支持された。
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分類 (2件):
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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  相転移・臨界現象一般 
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