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J-GLOBAL ID：201502208245721579   整理番号：15A1145916

二次元αヒ素リン化物の電子構造とキャリア移動度

Electronic Structure and Carrier Mobility of Two-Dimensional α Arsenic Phosphide

著者 (2件)： SHOJAEI Fazel (Jeonbuk National Univ., Chonbuk, KOR) ,  KANG Hong Seok (Jeonju Univ., Chonbuk, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 34  ページ： 20210-20216  発行年： 2015年08月27日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪印加下での二次元αヒ素リン化物の電子特性(電子構造,キャリア移動度)に関して,第一原理計算に基づく考察を行った。二次元αヒ素リン化物には三種の同素体相(α₁AsP,α₂AsP,α₃AsP)が存在し,α₁AsPとα₃AsPはαPと類似のバンドギャップを持つ直接ギャップ半導体挙動を示した。これらの同素体相は,αPに匹敵する異方性キャリア移動度(~10,000cm²/Vsを有する一方,αPとは異なる歪印加下での電子構造における異方性挙動を示した。

シソーラス用語： *リン化物 ,  *キャリア移動度 ,  *電子構造 ,  異方性 ,  *効果 ,  *低次元系 ,  計算 ,  *相変態 ,  バンドギャップ ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *αヒ素リン化物 ,  *歪効果 ,  二次元系 ,  第一原理計算 ,  *同素体変態 ,  *薄膜半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヒ素 ,  リン化物 ,  電子構造 ,  キャリア移動度