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J-GLOBAL ID：201502208429821592   整理番号：15A1075548

高周波インバータに適用した電流形ゲート駆動回路の駆動評価

Verification of Current Source Gate Drive Circuit Applied to High Frequency Inverter

著者 (4件)： 提橋郁人 (長岡技科大) ,  日下佳祐 (長岡技科大) ,  折川幸司 (長岡技科大) ,  伊東淳一 (長岡技科大)
資料名： 電気学会半導体電力変換研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： SPC-15  号： 132-145  ページ： 1-6  発行年： 2015年08月28日 
JST資料番号： Z0921A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電流形ゲート駆動回路の動作モードとスイッチングパターンについて解説した後,本回路の設計フローチャートを示し,入力リアクトルの設計と駆動用MOSFETの選定法について述べた。また,本回路を適用した高周波インバータの動作検証の結果を報告し,高周波インバータの動作確認や最大スイッチング周波数1MHzにおける上下アームの主回路MOSFETのスイッチング可能性を明らかにした。その他,ゲート電圧の電位変動についても考察した。

シソーラス用語： *インバータ ,  *ゲート回路 ,  *スイッチング ,  回路設計 ,  リアクトル ,  電気設計 ,  *MOSFET ,  選択基準 ,  回路解析 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧変動 ,  HF【周波数】 ,  運転モード
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  高周波インバータ ,  *電流形インバータ

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (10件)：

• 山岸達也・赤木泰文・木ノ内伸一・宮崎裕二・小山正人:「SiC-MOSFET/SBDモジュールを用いた750V,100kw,20kHz双方向絶縁形DC/DCコンバータ」,電気学会論文誌D,Vol.134,No.5,pp.544-553(2014)
• 菊間俊明・石川忠夫・高崎昌洋・餅川宏・葛巻淳彦・小谷和也・村尾武:「SiCデバイスを適用した柱上設置STATCOMの回路方式比較」,電学論 D,Vol.132,No.9,pp.865-874(2012)
• S. Safari, A. Castellazzi, P. Wheeler:“ Experimental and Analytical Performance Evaluation of SiC Power Devices in the Matrix Converter“, IEEE Trans. On Power Electronics, Vol. 29, No. 5, pp. 2584-2596(2014)
• R. Mitova, R. Ghosh, U. Mhaskar, D. Klikic, W. Miao-Xin, A. Dentella:“ Investigations of 600-V GaN HEMT and GaN Diode for Power Converter Applications“, IEEE Trans. On Power Electronics, Vol. 29, No. 5, pp. 2441-2452(2014)
• 豊田基・林祐輔・三浦友史・伊瀬敏史:「LLC共振コンバータを応用した直流給電用コンセント・プラグの実験による特性検証」,平成26年電気学会全国大会,Vol.4,No.007,pp.17-18(2014)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波インバータ ,  ゲート駆動回路 ,  評価