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J-GLOBAL ID:201502208667445646   整理番号:15A0070888

F原子吸着TiO_2:Mn(001)希薄磁性半導体薄膜の電子及び磁気特性:第一原理計算【Powered by NICT】

Electronic and Magnetic Properties of F Atoms Adsorbed TiO_2:Mn (001) Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films: First-principles Calculation
著者 (6件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 96-102  発行年: 2014年 
JST資料番号: C2538A  ISSN: 1001-246X  CODEN: JIWUEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Mn原子はTi原子を置換するMnドープ構造の第一原理計算を行った。形成エネルギー,状態密度と磁気モーメントは,MnイオンをドープしたTiO_2(001)及びF TiO_2(001)薄膜について計算した。全てドーピング配置では,表面上のF原子の吸着はTiO_2:Mn系の形成エネルギーを著しく低下させる。Mnイオンの磁気モーメントが減少するが,表面上のO原子のそれは増加した。O原子の磁気モーメントは主にスピン分極p_xとp_y軌道から導出した。F吸着は,Mn原子のドーピングを促進し,ある程度構造,磁性と金属性の安定性を改善する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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