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J-GLOBAL ID：201502208840547108   整理番号：15A0948798

電荷移動誘起変調ドーピングによる酸化物界面における2次元電子気体の極端な移動度増強

Extreme mobility enhancement of two-dimensional electron gases at oxide interfaces by charge-transfer-induced modulation doping

著者 (27件)： CHEN Y. Z. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  TRIER F. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  WIJNANDS T. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  GREEN R. J. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  GREEN R. J. (Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU) ,  GAUQUELIN N. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  EGOAVIL R. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  CHRISTENSEN D. V. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  KOSTER G. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  HUIJBEN M. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  BOVET N. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  MACKE S. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  MACKE S. (Max Planck Inst. for Solid State Res., Stuttgart, DEU) ,  HE F. (Canadian Light Source, Saskatchewan, CAN) ,  SUTARTO R. (Canadian Light Source, Saskatchewan, CAN) ,  ANDERSEN N. H. (Technical Univ. Denmark, Lyngby, DNK) ,  SULPIZIO J. A. (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  HONIG M. (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  PRAWIROATMODJO G. E. D. K. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  JESPERSEN T. S. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  LINDEROTH S. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  ILANI S. (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  VERBEECK J. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  VAN TENDELOO G. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  RIJNDERS G. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  SAWATZKY G. A. (Univ. British Columbia, British Columbia, CAN) ,  PRYDS N. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 14  号： 8  ページ： 801-806  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁性複合酸化物界面における2次元電子ガス(2DEG)の形成は,全酸化物エレクトロニクスの開発を期待させるが,その移動度の増大が重要な課題となっている。本研究では,不規則化LaAlO₃(d-LAO)と結晶性SrTiO₃(STO)との界面に極性La_1-xSr_xMnO₃(x=0,1/8,1/3)(LSMO)の単一単位格子絶縁層を挿入することで電子移動度が2桁以上昇することを見出した。試料は,TiO₂終端単結晶基板上にLAOとLSMOをパルスレーザー堆積法で作製し,RXS,EELS,AFM,HAADF-STEMによる評価を行った。さらに電気特性と磁気抵抗の測定を行った。その結果,LSMO層は電子再構成を示し,変調ドーピング効果が示された。また,低温でShubnikov-de Haas振動と量子Hall効果を示すことも明らかにした。

シソーラス用語： 電荷移動 ,  変調ドーピング ,  磁気抵抗 ,  *二次元電子ガス ,  酸化物 ,  アルミン酸塩 ,  チタン酸ストロンチウム ,  層 ,  素子構造 ,  固溶体 ,  酸化ストロンチウム ,  酸化マンガン ,  酸化ランタン ,  結晶格子 ,  キャリア移動度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  蒸着膜 ,  量子Hall効果 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  界面 ,  基板 ,  バッファ層 ,  振動
準シソーラス用語： LSMO【化合物】 ,  アルミン酸ランタン ,  ヘテロ界面 ,  ヘテロ構造 ,  絶縁層 ,  単位格子 ,  電子移動度 ,  複合酸化物 ,  量子振動

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電荷移動 ,  誘起 ,  変調ドーピング ,  酸化物 ,  界面 ,  2次元 ,  電子気体 ,  移動度 ,  増強