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J-GLOBAL ID：201502208855388189   整理番号：15A1209899

Si上のGe膜の選択領域成長【Powered by NICT】

Selective area growth of Ge film on Si

著者 (4件)： Wang Jianyuan (Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen) ,  Wang Chen (Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen) ,  Li Cheng (Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen) ,  Chen Songyan (Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 12  ページ： 128102-1-128102-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低温Geバッファ層と選択領域エピタクシー技術によると,超高真空化学蒸着を用いてパターン形成したSi/SiO_2基板上のGe膜を成長した。X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡とRaman散乱スペクトルを用いて,その結晶品質と形状サイズと共に変化する応力と他のパラメータの法則を得た。結果は,貫通転位密度は形状サイズの減少と共に減少することを示した。さらに,Ge層の引張歪は最初に増加し,次に形状サイズの増加,Ge選択領域成長中の(113)ファセットの形成に起因すると安定ななる。(113)ファセットの形成は,エピタキシャル材料系の歪エネルギーを減少させ,単位体積当たりの歪エネルギーの減少は,形状サイズの増加に伴って減少した。厚さ380nmのGeエピ層の二乗平均平方根表面粗さは約0.2nmであり,XRDプロファイルのGeピークの全幅で半値全幅は約678」である。選択領域エピタキシャルGe層は良好な品質であり,Siベース光電子集積化のための有望な材料であることが示唆された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パターン形成 ,  歪エネルギー ,  Raman散乱 ,  エピタクシー ,  FWHM ,  貫通転位 ,  超高真空 ,  化学蒸着 ,  *ファセット ,  原子間力顕微鏡 ,  バッファ層 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  引張歪 ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  Ge ,  領域成長