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J-GLOBAL ID：201502208866953597   整理番号：15A0861108

Cu₂CdGeS₄の電子構造と光学的性質: DFT計算とX線分光測定

Electronic structure and optical properties of Cu₂CdGeS₄: DFT calculations and X-ray spectroscopy measurements

著者 (7件)： LAVRENTYEV A.A. (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Don State Technical Univ., Gagarin Square 1, 344010 Rostov-on-Don, RUS) ,  GABRELIAN B.V. (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Don State Technical Univ., Gagarin Square 1, 344010 Rostov-on-Don, RUS) ,  VU V.T. (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Don State Technical Univ., Gagarin Square 1, 344010 Rostov-on-Don, RUS) ,  SHKUMAT P.N. (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Don State Technical Univ., Gagarin Square 1, 344010 Rostov-on-Don, RUS) ,  OCHERETOVA V.A. (Technical Univ. “Kyiv Polytechnic Institute”, 37 Peremogy Avenue, Kyiv 03036, UKR) ,  PARASYUK O.V. (Dep. of Inorganic and Physical Chemistry, Eastern European National Univ., 13 Voli Avenue, Lutsk 43025, UKR) ,  KHYZHUN O.Y. (Frantsevych Inst. for Problems of Materials Sci., National Acad. of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street ...)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 47  ページ： 435-444  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋及びAr⁺イオン照射したCu₂CdGeS₄単結晶表面のX線光電子内殻準位及び価電子バンドスペクトルを測定した。電子構造を理論と実験の両面から調べた。増強平面波+局所軌道(APW+lo)法を用いた密度汎関数理論により,Cu₂CdGeS₄の部分状態密度を調べた。Cu3dとCd4d状態は価電子バンドへ主に寄与した。また,伝導バンドの底は非占有Ge4s及びS3p状態からの寄与が主であった。DFT計算のデータをX線放射バンドの共通のエネルギースケールで比較して実験により確認した。Cu₂CdGeS₄化合物の主な光学的特性を第一原理計算により調べた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子構造 ,  イオン照射 ,  硫化物 ,  銅化合物 ,  カドミウム化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  内殻準位 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  APW法 ,  放射 ,  *半導体材料 ,  結晶構造 ,  *X線光電子スペクトル ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  屈折率 ,  *密度汎関数法 ,  化合物半導体 ,  X線スペクトル ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： APW+lo ,  X線放射 ,  X線発光スペクトル

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子構造 ,  光学的性質 ,  DFT計算 ,  X線分光